XPSについて イオンガンのエッチングレートが変更になりました。 ch1: 14.3nm/min(SiO2) ch2: 10.0nm/min(SiO2) ch3: 2.0nm/min(SiO2) ch4: 14.3nm/…
光電子分光分析研究室
北海道大学 大学院工学研究院 全学共同利用施設
XPSについて イオンガンのエッチングレートが変更になりました。 ch1: 14.3nm/min(SiO2) ch2: 10.0nm/min(SiO2) ch3: 2.0nm/min(SiO2) ch4: 14.3nm/…