XPSマニュアル更新について

いつもご利用頂きありがとうございます。

XPSのマニュアルが更新になりました。装置利用するユーザーの方は確認してください。

主な変更点については以下の通りです。

・アルゴンイオンガンCh1番のエッチングレートの変更

加速電圧3kV、25mAの条件で約8.0nm/minute(SiO2酸化膜で)

アルゴンイオンガンCh2、3、4番の追加

Ch2:加速電圧2kV、25mAの条件で約5.5nm/minute(SiO2)

Ch3:加速電圧1kV、25mAの条件で約2.0nm/minute(SiO2)

Ch4:加速電圧3kV、25mA、ステージチルト-10度の状態で使用可能。エッチングレートはCh1と 同様。主にモノクロX線での測定の際に使用出来る。ただし照射時に分光結晶の扉を閉める必要がある(monochrome→baking)

・試料導入の際の真空度ルール

真空度について厳密なルールを設けました。分析室に試料を導入した際、分析室の真空度が5.0×10-6Paよりも劣化している場合は即座に試料を導入室に回収して、さらに真空を引くようにしてから再度導入を試してください。そのまま分析室に放置してあると装置に大変負担がかかります。また分析可能な真空度を10.0×10-7Pa以下と決めました。その真空度に到達するまで分析室で十分に真空を引いて下さい。分析中に真空度が劣化する事もありますので、こまめに真空度は確認するようお願い致します。

以上2点が主な変更点です。

研究室単位でも各ユーザーの方にご周知くださいますようお願い致します。

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